• Solar-Si – технология производства кремния солнечного качества (6N)
• Тонкие пластины Ельцова - нанесение ультра-тонких слоев монокристаллов кремния на графитовую подложку
• Гибкие кристаллы Чуканова – производство монокристаллов кремния сферической формы

Маркетинговая задача:

• Снижение себестоимости производства кремния для солнечной энергетики. Создание производственной базы для разработки солнечных элементов в РФ.

• Источник сырья с хлорсиланов изменен на кремнийфтористо-водородную кислоту. Предложен оригинальный экстрагент для выделения и очистки SiF4. Использован магний для восстановления кремния в вихревом реакторе.

• Получены монокристаллы кремния сферической формы кремний чистотой 6N
• Себестоимость снижена в 3 раза до 7.5$/кг
• Капитальные затраты снижены в 2 раза до 50 $M на 1000 т

• Получен патент на «Способ получения кремния» 19.12.2008г.
• Получен патент на «Способ восстановления кремния» 27.12.2008
• Подана заявка на «Способ получения кремния и устройство для его осуществления», расширяющая территорию охраны патентов по процедуре РСТ.

• Производство кремния.
• Производство фотоэлементов на основе сферических гранул.

Маркетинговая задача:

• Снижение расхода кремния на 1Вт мощности фотоэлемента.

• Непрерывное выращивание слоя кремния из расплава на перемещающуюся в горизонтальной плоскости подложку, выполненную из графитовой фольги, осуществляют посредством капиллярного питателя.

• Толщина слоя: 8-60мкм (определяется скоростью)
• Размер зерен достигает нескольких сантиметров
• Ширина нанесения до 165 мм

• На технологию подана заявка на патент: «Способ непрерывного выращивания слоев кремния, подложка для выращивания слоев кремния и способ изготовления подложки»

• Производство пластин (wafers) для фотоэлементов со сниженным расходом кремния в 7-20 раз.
• Производство фотоэлементов.

• производство оборудования по нанесению,
• производство пластин.

Маркетинговая задача:

• Снижение расхода кремния на 1Вт мощности фотоэлемента.

• Создание монокристаллов кремния сферической формы как основы для солнечных элементов с увеличенной в 4 раза рабочей поверхностью методом центробежного распыления расплава.

• Структура сферы - монокристалл
• Дисперсия 20-1500 мкм.

• На технологию поданы заявки на патент: «Способ производства сферических кристаллов кремния», «Фотоэлемент»

• Производство сферических монокристаллов (wafers) для фотоэлементов со сниженным расходом кремния на 1 Вт мощности в 4-11 раз
• Производство фотоэлементов.